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本文针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素(溅射压强、氩/氧比例、退火温度等)进行了分析,并测试了薄膜性能,制备的ITO薄膜电阻在100Ω～120Ω左右,在太阳光谱范围的吸收率小于5%,可以满足电致变色器件对透明导电层的要求。
电致变色热控器件透明导电层的制备与研究
【摘 要】
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本文针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素(溅射压强、氩/氧比例、退火温度等)进行了分析,并测试了薄膜性能,
【机 构】
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中国航天科技集团五院510所表面工程技术国家级重点实验室中国航天科技集团五院510所表面工程技术国家级重点实验室
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2008年S1期
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