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Si-TaSi2共晶自生复合材料由于具有较低的功函数、良好的电传输特性和自生三维肖特基结等特点，被认为是具有良好应用前景的场致发射材料之一。依据选择性腐蚀的原理，把电子束区熔技术制备的Si—TaSi2共晶自生复合材料制作为Si—TaSi2场发射阴极阵列。对影响选择性腐蚀工艺的两个因素：腐蚀时间和腐蚀液配比进行了系统的研究。研究表明，随着腐蚀时间的延长，TaSi2尖锥的曲率半径减小，长径比增大；制备Si-TaSi2场发射阴极阵列的最佳腐蚀液配比是浓硝酸和浓氢氟酸的体积比v（HNO3）：v（HF）=4：1，最