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本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。
全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型
【摘 要】
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本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,香港科技大学电机电子工程系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1996年5期
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