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Al_xGa_1-xN/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xtinxtin

【摘 要】

：

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-

【作 者】

：

唐宁 沈波 韩奎 卢芳超 许福军 秦志新 张国义 

【机 构】

：

北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

【出 处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2008年S1期

【关键词】

：

AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自旋 AlxGa1-xN/GaN heterostructures two-dimensional electr 

【基金项目】

：

国家“973”重点基础研究项目(2006CB604908,2006CB921607),国家自然科学基金(60806042,10774001,60736033,60628402),教育部博士点基金(200800011021,20060001018),北京市自然科学基金(4062017)

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通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。

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