超过双极静态随机存取存储器的HMOSII静态RAM

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提出了一种缩小工艺,这种工艺可以改进存取时间,新的制作工艺保留了与HMOS制作方法的兼容性。 A shrinking process was proposed, which improved access time and the new fabrication process retained compatibility with HMOS fabrication methods.
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