【摘 要】
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基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间
【机 构】
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桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室,广西桂林,541004
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基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间.对整流器工作原理进行了分析,对电路进行了仿真.结果表明,改进后的CMOS交叉耦合桥式整流器在输入功率为-16 dBm@900 MHz时,输出电压为1.48V,输出电压和稳定时间分别比传统电路提高了13 mV和22μs.
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