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随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。
GaAspHEMT外延层转移技术研究
【摘 要】
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随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然
【机 构】
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微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2014年4期
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