【摘 要】
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本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压与器件夹断性能的关系,从实验上证明理论分析
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本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压与器件夹断性能的关系,从实验上证明理论分析是正确的,对器件制造有一定的指导意义.
In this paper, the gate-source breakdown voltage and gate-drain breakdown voltage of GaAsMESFET with non-symmetric gate structure are analyzed. A simple mathematical expression of the relationship between the gate-source breakdown voltage and the gate-drain breakdown voltage is given. The relationship between the performance of the experimental proof that the theoretical analysis is correct, the device manufacturing has a certain significance.
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