关于晶体管h_(FE)的研究

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本文系作者近年来对高频晶体管H_(FE)参数退化机理的研究报告。 实践证明采用扫描电子束感生电流技术和俄歇扫描显微镜来研究h_(FE)的退化机理是有效的。 通过观测和分析,认为h_(FE)的退化机理在 This article is the author in recent years, high-frequency transistor H_ (FE) parameter degradation mechanism of the research report. Practice has proved that the use of scanning electron beam induced current technology and Auger scanning microscope to study h_ (FE) degradation mechanism is effective. Through observation and analysis, it is considered that the mechanism of degradation of h_ (FE) is
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