【摘 要】
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2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay SiliconixSiHx28N60EF和SiH
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2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay SiliconixSiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
On December 9, 2014, Vishay Intertechnology, Inc. announced that it has released two devices, the SiHx28N60EF and SiHx33N60EF, for the 600V EF series fast body diode N-channel power MOSFET. Vishay SiliconixSiHx28N60EF and SiHx33N60EF have low recovery charge and on-resistance to improve reliability and save energy in industrial, telecom, computing and renewable energy applications.
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