【摘 要】
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本文分析了高压二极管、低频功率晶体管等器件在中子辐照后电参数退化规律。为提高这些器件的耐中子辐照能力,给出了这些器件结构参数的设计要求,以及这种结构特点的器件设计
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本文分析了高压二极管、低频功率晶体管等器件在中子辐照后电参数退化规律。为提高这些器件的耐中子辐照能力,给出了这些器件结构参数的设计要求,以及这种结构特点的器件设计中需注意的有关问题。
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