【摘 要】
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本研究主要利用射频耦合直流磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂到TiO2薄膜。同时也利用光学轮廓仪、X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和紫
【机 构】
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安徽科技学院机械工程学院; 五河县职业技术学校; 神龙汽车有限公司;
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本研究主要利用射频耦合直流磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂到TiO2薄膜。同时也利用光学轮廓仪、X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见光分光光度计研究了不同射频功率占比对薄膜的微观结构和光学性能的影响。实验结果表明:随着射频功率的增加,薄膜的沉积速率增加,薄膜的结晶性变优,晶粒尺寸变大,N掺入的比例增加,Ti的价态出现未完全氧化的Ti3+,薄膜的禁带宽度也相应地减小,N掺杂TiO2薄膜的吸收边扩展到可见光区域。
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