【摘 要】
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为了探究硅片器件精密磨削加工破碎的损伤规律与演变机制,开展了单颗金刚石磨粒切削单晶硅片的微米划痕实验,分析了硅片边缘有无胶粘包裹作用两种条件下的划痕入口、内部与出口三个区段的破碎损伤形貌特征,并建立了声发射强度、磨削力、切削深度、摩擦系数与破碎损伤之间的内在密切关联.单晶硅破碎损伤随着加载压力或切入深度的增大而越加严重,伴随释放的声发射信号强度增大.单晶硅内部破碎发生的临界阈值条件:载荷约80 mN,切入深度约2μm,声发射强度约8％.胶粘包裹对单晶硅片边缘的增韧效果显著,边缘崩碎发生临界阈值条件为:载荷
【机 构】
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火箭军工程大学,陕西西安710000;陆军装甲兵学院装备再制造技术国防科技重点实验,北京100072
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为了探究硅片器件精密磨削加工破碎的损伤规律与演变机制,开展了单颗金刚石磨粒切削单晶硅片的微米划痕实验,分析了硅片边缘有无胶粘包裹作用两种条件下的划痕入口、内部与出口三个区段的破碎损伤形貌特征,并建立了声发射强度、磨削力、切削深度、摩擦系数与破碎损伤之间的内在密切关联.单晶硅破碎损伤随着加载压力或切入深度的增大而越加严重,伴随释放的声发射信号强度增大.单晶硅内部破碎发生的临界阈值条件:载荷约80 mN,切入深度约2μm,声发射强度约8％.胶粘包裹对单晶硅片边缘的增韧效果显著,边缘崩碎发生临界阈值条件为:载荷约800 mN,切入深度约6μm,声发射强度约55％.
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