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对用于光电集成（OEIC）的InP基异质结双极性晶体管（HBT）进行了分析，提出了一种新的集电区外延结构，该结构是在单HBT（SHBT）的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层，既适用于集成光探测器，又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT（DHBT）电子堆积效应等问题，并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点。