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太赫兹肖特基二极管的建模是设计太赫兹倍频器的首要任务，模型建立准确与否关系着太赫兹倍频器的整体性能。根据GaAs半导体掺杂理论给出二极管n层和n”层的电导率，通过低频仿真并结合经验公式给出R。值。在此基础上对二极管的整体模型进行分离管芯，把二极管的线性区和管i芷：的非线性区分别放到HFSS软件和ADS软件中进行仿真，将线性区仿真的S参数导人到ADS软件中构成完整的模型。建立好的完整模型进行188GHz二次倍频仿真验证，输出结果对奇次谐波抑制明显，倍频损耗为5dB。