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简叙述了征ＧａＡｓ晶体中的光吸收过程，分析了半导体材料光吸收特性与温度之间的依赖关系。研究表明，一定厚度的ＧａＡｓ晶片对入射光的吸收直接依赖于光源的功率谱特性与温度，文中揭示了光吸收－温度曲线与不我源光谱功率分布之间的关系式。根据这种原理，获得了新的检测温度的方法，同时，给出了相应的实验结果。
砷化镓半导体光吸收特性的研究
【摘 要】
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简叙述了征ＧａＡｓ晶体中的光吸收过程，分析了半导体材料光吸收特性与温度之间的依赖关系。研究表明，一定厚度的ＧａＡｓ晶片对入射光的吸收直接依赖于光源的功率谱特性与温度，文中揭示了光吸收
【机 构】
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华中理工大学光电子工程系
【出 处】
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光电工程
【发表日期】
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1997年2期
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