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简叙述了征GaAs晶体中的光吸收过程,分析了半导体材料光吸收特性与温度之间的依赖关系。研究表明,一定厚度的GaAs晶片对入射光的吸收直接依赖于光源的功率谱特性与温度,文中揭示了光吸收-温度曲线与不我源光谱功率分布之间的关系式。根据这种原理,获得了新的检测温度的方法,同时,给出了相应的实验结果。