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亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong478
【摘 要】
:
利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应。
【作 者】
:
刘弋波
刘恩峰
刘晓彦
韩汝琦
【机 构】
:
北京大学微电子学研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2003年B05期
【关键词】
:
流体动力学
双栅MOSFET
阈值电压
短沟效应
电子温度
漂移速度
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利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应。
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