【摘 要】
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阐述了硅片的结构特性、电学特性、化学特性及机械性能等表征硅片质量水平的参数对IC工艺控制参数的影响,总结了制造IC对硅片特性的要求。同时讨论了硅片的“吸杂”应用问题,
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阐述了硅片的结构特性、电学特性、化学特性及机械性能等表征硅片质量水平的参数对IC工艺控制参数的影响,总结了制造IC对硅片特性的要求。同时讨论了硅片的“吸杂”应用问题,并根据IC的发展趋势强调了研究“材料与器件关系”的重要性。
The effects of parameters such as the structural, electrical, chemical and mechanical properties of the wafers on the control parameters of the IC are described. The requirements of manufacturing ICs for the wafers are also summarized. At the same time, the issue of “gettering” application of silicon wafers was discussed, and the importance of “the relationship between materials and devices” was emphasized according to the trend of IC development.
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