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通过两个角度分析加深晶体缺陷的概念理解,结合一次工艺生产中造成芯片失效的晶体缺陷检测,分析造成此次芯片失效的晶体缺陷的种类和位置,并且给出了解决方案。
半导体工艺中硅衬底凹坑缺陷的检测
【摘 要】
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通过两个角度分析加深晶体缺陷的概念理解,结合一次工艺生产中造成芯片失效的晶体缺陷检测,分析造成此次芯片失效的晶体缺陷的种类和位置,并且给出了解决方案。
【机 构】
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江苏信息职业技术学院电子信息工程系
【出 处】
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南京工业职业技术学院学报
【发表日期】
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2010年2期
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