论文部分内容阅读
由Schr？dinger方程出发,基于（101）单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向（101）单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明：（101）单轴应力沿0o和45o晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷；（101）单轴张应力下,沿45o晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0o和90o晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大；（101）单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。