PdSe2纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器

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提出了一种PdSe2纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器。采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe2 NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器。光电性能测试结果表明,所设计的器件在200~1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近。在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166 mA·W -1,当施加-2 V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W -1。此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右。由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的“LASDOP”字母图像,展示了潜在的应用前景。
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