【摘 要】
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在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径.首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了
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在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径.首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响.实验发现,在电流密度1 mA/cm2,氧化液温度60 ℃,氧化时间为10 min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍.
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