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基于常温反应磁控溅射和热处理工艺，在硅片（100）衬底上，制备出了具有相变特性的二氧化钒（VO2）薄膜，采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后，薄膜晶粒开始生长，在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的（011）、（200）、（210）衍射峰，薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试，相变前后薄膜电阻突变量达三个数量级，具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。