In0.52Al0.48

Temperature dependence of the ionization coefficients of InAlAs and AlGaAs digital alloys

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Digital alloy In0.52Al0.48As avalanche photodiodes exhibit lower excess noise than those fabricated from random alloys. This paper compares the temperature dependence, from 203 to 323 K, of the impact ionization characteristics of In0.52Al0.48As and Al0.74Ga0.26As digital and random alloys. These results provide insight into the low excess noise exhibited by some digital alloy materials, and these materials can even obtain lower excess noise at low temperature.
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期刊论文Temperature dependence of the ionization coefficients of InAlAs and AlGaAs digital alloys发表于2018年6期PhotonicsResearch作者YuanYuan,JiyuanZheng,YaohuaTan,YiweiPeng,Ann-KathrynRockwell,SethR.Bank,AvikGhosh,JoeC.Campbell,本篇论文的所有权归原作者YuanYuan,JiyuanZheng,YaohuaTan,YiweiPeng,Ann-KathrynRockwell,SethR.Bank,AvikGhosh,JoeC.Campbell所有,如果您对本文有版权争议,可与客服联系进行内容授权或下架。