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利用自制的ＲＦ－ＣＶＤ装置合成了Ｓｉ３Ｎ４超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Ｓｉ３Ｎ４粒子的典型尺寸为１０－５０ｎｍ，并且凝聚形成分形结构，其对应不同的反应温度合成的粒子的分形维数约为２．１５到１．７４之间。
Si3N4超微粒的RF—CVD合成及其介电性质
【摘 要】
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利用自制的ＲＦ－ＣＶＤ装置合成了Ｓｉ３Ｎ４超微粒。着重考察了反应气混合方式对反应机理、化学含量、粒子形态及凝聚结构的影响。得到的Ｓｉ３Ｎ４粒子的典型尺寸为１０－５０ｎｍ，并且凝聚形成分形结构，其对应不同的反应温
【机 构】
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华东理工大学技术化学物理研究所,国家超细粉末工程研究中心
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1996年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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