【摘 要】
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实验证明,在激光再结晶多晶硅薄膜上迭层制造MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是切实可行的。初始研究是在一多晶膜上采用分离栅结构获得单个增强型器件,并利用一只互补型CM
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实验证明,在激光再结晶多晶硅薄膜上迭层制造MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是切实可行的。初始研究是在一多晶膜上采用分离栅结构获得单个增强型器件,并利用一只互补型CMOS的排列论证同时工作的晶体管和倒相作用。
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