【摘 要】
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在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V2O5靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物薄膜.当Mg和V的原子比为1:2时,XPS测试表明薄膜中有V4+和V2+存在.X射线衍射结果显示,制备的薄膜主要成分是MgV2O5,且结晶状况良好.温度-电阻率测试结果显示,薄膜在20℃附近有相变行为,电阻温度系数高达-8.6％/K,回线弛豫温度约为0.3℃,负温度系数热敏电阻材料常数高达6700.这一发现为制备非制冷焦平面探测用的热敏薄膜材料提供了新的思路.
【机 构】
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上海交通大学 先进电子材料与器件校级平台,上海 200240
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在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V2O5靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物薄膜.当Mg和V的原子比为1:2时,XPS测试表明薄膜中有V4+和V2+存在.X射线衍射结果显示,制备的薄膜主要成分是MgV2O5,且结晶状况良好.温度-电阻率测试结果显示,薄膜在20℃附近有相变行为,电阻温度系数高达-8.6％/K,回线弛豫温度约为0.3℃,负温度系数热敏电阻材料常数高达6700.这一发现为制备非制冷焦平面探测用的热敏薄膜材料提供了新的思路.
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