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,Effects of the strain relaxation of an AlGaN barrier layer induced by various cap layers on the tra
【作 者】
:
【机 构】
:
School of Microelectronics,and State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Techno
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2011年9期
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