【摘 要】
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在国际半导体电路评审会上 ,摩托罗拉公司发表了 2 5 6ｋＲＡＭ。本次发表的ＭＲＡＭ ,它是以单管和单磁通道连接所定义的存储单元作为基准的 ,实现了不足 5 0ｎｓ读出 /写入周期时间。存储器结构
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在国际半导体电路评审会上 ,摩托罗拉公司发表了 2 5 6ｋＲＡＭ。本次发表的ＭＲＡＭ ,它是以单管和单磁通道连接所定义的存储单元作为基准的 ,实现了不足 5 0ｎｓ读出 /写入周期时间。存储器结构 16× 16 ,读出时所测定的功耗在 3Ｖ电压下为 2 4ｍＷ。采用该结构 ,实现了具有?
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