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22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,有几种改进工艺,目前有多种新器件结构可供选择,如FinFET、3栅结构、纳米线和ET-FD-SOI。下面将重点分析下其他半导体公司在22nm节点或是20nm半节点上的一些动态进展,以供我们在研发定性能参数做参考。
晶体管技术领域趋势分析
【摘 要】
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22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,有几种改进工艺,目前有多种新器件结构可供选择,如FinFET、3栅结构、纳米线和ET-FD-SOI。下面将重点分
【机 构】
：
河海大学商学院
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2014年11期
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