【摘 要】
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采用薄层循环伏安法、薄层恒电位电解吸收光谱法、薄层单电位阶跃计时吸收法、薄层双电位阶跃计时吸收法等技术对3, 3′, 5, 5′-四甲基联苯胺(TMB)在B R缓冲溶液中于铂网栅
【机 构】
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中国海洋大学化学化工学院,青岛科技大学化学与分子工程学院
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采用薄层循环伏安法、薄层恒电位电解吸收光谱法、薄层单电位阶跃计时吸收法、薄层双电位阶跃计时吸收法等技术对3, 3′, 5, 5′-四甲基联苯胺(TMB)在B R缓冲溶液中于铂网栅光透电极上的电氧化性质进行了研究。TMB在pH=2 .0至pH<4 .0的B R缓冲溶液中为1步2电子电氧化过程,生成产物醌二亚胺,循环伏安图上表现为1对良好的氧化还原峰;在pH=4 0至pH<7. 0时为分步的2个单电子氧化过程,TMB首先被氧化为中间产物TMB自由基,然后自由基再被氧化为醌二亚胺,在循环伏安图上出现2对氧化还原峰;在pH>7 .0时为1步电氧化过程,产物为偶氮化合物,循环伏安图上为1对良好的氧化还原峰。测得了TMB的克式量电位E0′,电子转移数n。
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