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静电放电（ESD）对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体（MOS）器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注。综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法;并提出了相应的静电防护措施。
MOS器件的ESD失效
【摘 要】
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静电放电（ESD）对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体（MOS）器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注。综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机
【机 构】
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中国空空导弹研究院
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2011年6期
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