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主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法。通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻胶的最佳工艺参数。
光刻工艺中关键流程参数分析
【摘 要】
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主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2011年06期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61006036);电子科技大学“学术新人”项目支持
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