GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴

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本文首先讨论了GaAs体效应器件中不同阴极凹槽掺杂分布对畴状态的影响,指出当凹槽深度较深时能形成在凹槽处生长然后静止的畴模式,讨论了这类畴的生长过程及其特点,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较. In this paper, we first discuss the influence of different cathode groove doping distributions on domain states in GaAs body effect devices. It is pointed out that when the groove depth is deeper, the domain modes that grow and then rest at the groove can be formed. The growth of such domains is discussed Process and its characteristics, and with the usual Gunn device triangular domain mode were compared.
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