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研究了低通量慢中子对高T_c超导体的辐照效应。实验结果表明,高T_c超导体YBCO烧结样品经5.2×10~8n/cm~2通量慢中子辐照后,临界电流密度J_c可以提高～3倍。与国外文献对比,证实了低通量慢中子与高通量快中子对高T_c超导体具有等同的辐照效应。此外,还对辐照效应的等同性进行了理论分析。