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通过SEM、XRD手段对（Si-C-Ti）粉末压块的高温自蔓延反应进行了研究,获得了SiC颗粒。设计压块为内外两层,外层是Ti粉和石墨粉（C）,摩尔比为1：1,内层是Si粉和石墨粉,摩尔比也为1：1。结果表明,可以利用压块外层Ti-C反应生成TiC放出的热量引发内层Si-C反应生成SiC颗粒。当外层粉末与内层粉末的质量比为4：1,加热温度为1050℃时,内层Si粉与C粉可以充分反应生成SiC颗粒。