【摘 要】
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本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,
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本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考.
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