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在新型超高速光导开关的研究中，采用AFM阳极氧化加工方法，加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜，形成纳米级氧化钛线．该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构，并且TiOx作为电子的能量势垒．为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响，确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件，通过控制空气中的相对湿度，在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下，加工出宽度分别为15．6，34．2和46．9nm的钛氧化线，测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性,结果表明，在两电