【摘 要】
：
采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物（ITO,In2O3：SnO2=90：10,质量百分比）薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性
【机 构】
：
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
论文部分内容阅读
采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物（ITO,In2O3：SnO2=90：10,质量百分比）薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明：溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.
其他文献
新疆吉木萨尔县水利局按照《昌吉回族自治州饮用水水源保护条例》精神，强化措施，扎实开展饮用水源地保护工作。一是加大宣传。采用电视公益广告、发放宣传单等多种形式，广泛开展
采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜(Nb=0-4.12mol%),采用HPAgilent 429A阻抗分析仪等测试方法研究了微量元素铌对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3(BSNT)薄膜介电性能的影
2015年12月4日是第二个“国家宪法日”，为做好今年“12·4”国家宪法日、法治宣传日活动，湖北省襄阳市襄州区水利局积极营造良好的法治宣传氛围，紧紧围绕“弘扬宪法精神，推进
论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法，并讨论了主要结果。
随着世界范围内对高性能软磁材料的需求日益增加，添加不同合金元素的FINEMET合金的性能及其纳米结构的研究近年来引起了广大科研工作者的兴趣。本文回顾了不同合金元素对软磁
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂
压电振子的等效电路形式当考虑损耗时可用两种方法表示：一种方法是不改变相应无损振子的等效电路形式，而将电路参数取为复数；另一种方法是在电路中加入耗能元件。文中分析了压电
近几年来，乌盟从统一思想，提高认识入手，坚持“四个打破”，合理调配，积极利用闲置国有资产300多万元，有效地扶持了地方经济的发展。乌盟在六、七十年代大上了一批“五小企业”，新建