【摘 要】
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通过对不同生长厚度GaN/SiC（n-n）的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场.这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不
【机 构】
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南京邮电大学应用物理系,中国科学技术大学近代物理系,香港大学物理系
【基金项目】
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南京邮电大学研究基金（批准号：NY207010）资助的课题
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通过对不同生长厚度GaN/SiC（n-n）的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场.这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不同的热膨胀系数有关.而缺陷中大量的带状缺陷在界面中形成一个费米能级钉扎（Fermi level pinning）,它的存在使界面中存在一定高度的势垒,导致在界面两端的一定区域内形成两个不同方向的电场.用VEPFIT模拟该电场的存在,分四层（GaN/Interface/SiC1/SiC2）进行拟合,得到了很好的拟合效果
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