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用高温固相反应法合成了微米级KTP晶体，用偏光显微镜对其形貌进行了表征，用XRD对烧成产品的物相进行了系统的分析，用最小二乘法对样品的晶胞参数进行了计算，系统分析了KTP晶体晶胞参数与合成温度的关系，在烧成温度为1000℃时，KTP的晶体为斜方晶系，晶胞参数为：αo=10.587（3）A，bo=12.814（3）A，Co=6.404（2）A，V=868.7（3）A^3。晶体的实测面网间距与计算值的标准偏差为0.00335，合成的KTP晶体的结晶程度较高。