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采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪，实验研究了不同组分比的条形InP／In1-x，Gax-As1-yPy多量子阱电吸收调制器（MQW-EAM）的色度色散（CD）特性。研究结果表明，Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关，并估算了EAM的带宽。因此，对应用于高速光通信系统中的同类型半导体光子器件，所用材料必须尽可能一致，以保证其高速性能的一致性。