双MOS门极控制的EST的开关特性和安全T作区

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuruiqi8627361
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用二维MEDICI商用器件模拟软件对双MOS门极控制的发射极开关晶闸管EST(Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区FBSOA(Forward Biased Safe-Operation-Area)及其关断动态的电流分布进行了模拟研究.证明该器件采用P型转向器(diverter)与双MOS门极相结合的结构使得空穴电流分流从而显著地提高了EST的开关能力,其FBSOA也有明显展宽.
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