盐生植物小花碱茅外整流K+通道PtSK OR基因的克隆及RNAi载体构建

来源 :分子植物育种 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a553892340
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
为研究盐生植物小花碱茅(Puccinellia tenuiflora)耐盐的分子机制,本研究根据已克隆到的PtSKOR基因片段,利用RACE技术得到小花碱茅PtSK OR的3'和5'cDNA序列,拼接后的基因全长为2353 bp,编码715个氨基酸,系统进化分析显示PtSK OR编码外整流K+通道。在此基础上,采用酶切连接的方法,构建了CaMV 35S启动子驱动的含PtSK OR基因片段反向重复序列的PtSKOR-RNAi植物表达载体。
其他文献
介绍了截面偏倚减方差方法和Geant4基本结构功能;应用模拟计算了不同能量(1MeV、14MeV和反应堆中子源)中子在微波SiGe HBT器件中产生的的电离、非电离和声子能量沉积、粒子径
在解析几何里,设参数来解题是个常用的方法.因为引进适当的参数后,可以简化某些解题的过程,尤其在处理某些轨迹问题时更显出其优越性,但由于选择的参数不同,解法仍有繁简之别
蘇聯部長會議發出了關於蘇聯著名的科學家、卓越的旅行家、社會主義勞動英雄弗拉基米爾·阿法納謝維奇·奥勃魯契夫院士於1956年6月19日逝世的消息。在許多人的心坎裏,對這
为配合中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH瞬态辐照实验,开发了一套检测内部数据存储器(RAM)的汇编程序和记录分析结果的Labview程序。通过这套程序可以对MCU内
会议
分析了SiGe HBT器件中子辐照效应机理,运用MEDICI软件,对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究.计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数
本文简要介绍IEC有关高能电磁学方面的标准,包括有关HEMP的标准14部,关于HPEM的标准3部,其中2000年前发布的标准已在较早的的文章中作过介绍,为了完整性将其简单的列在本文中
過去一年內(1956年4月至1957年4月)本教研室發表了5篇文章,先後有教師二人(劉泰槰、劉次元)和研究生7人(徐湯苹、張人驥、張慧娥、胡美浩、鄭榮樑、李宏鈞、萬傳文)通過了論
本文介绍了地面设备电磁防护加固技术研究中,电磁防护加固后的屏蔽采光窗成功满足了透光等需求,并在低成本、高限制条件下达到了宽频段电磁防护技术指标要求.
强电磁脉冲能量会通过车体辐射、管线传导及孔缝耦合等多种方式传导到电子设备承载车辆内部,对承载的电子设备和电气设备产生干扰和毁伤.本文分析了电磁脉冲对电子设备承载车
高空核爆电磁脉冲波形的双指数函数表述形式,在波形起始时刻,其一阶导数不为零,有突变,不符合实际物理规律。为解决该问题而提出的双指数函数倒数表述形式,又需要根据不同的