ZnWO4:Tm~(3+)单晶生长和上转换发光研究

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上转换发光现象的发现已经有了四十多年的历史,其间也有了一定的发展。但由于效率低,进一步应用和发展都受到限制。随着对全固态激光器的迫切需求,特别是作为泵浦源的大功率激光二极管的出现及迅猛发展,上转换发光材料又迎来了新的发展机遇——激光二极管泵浦上转换激光晶体实现短波长全固态激光器是十分有前途和吸引力的方案之一。文中介绍了上转换发光的发展历程及作为激光材料的最新进展情况,阐述了形成上转换发光的四种机制及影响发光强度结构方面的因素。 ZnWO4属单斜晶系,空间群P2/c,弱晶体场,钨离子为+6价,有利于提高上转换发光强度。精心设计了温场和选择了工艺参数——轴向温度梯度△G≥30℃/cm,转速25~40转/分钟,拉速≤4mm/小时,用Czochralski法成功地生长出了具有不同掺杂浓度的光学质量的ZnWO4单晶。通过埋在有高温相变的介质——氧化铝中退火,提高了晶体在可见光波段的透过率。密度实验结果表明掺杂的Tm3+离子占据了Zn2+离子的晶格位而生成了置换型固溶体。用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定了Tm3+离子在钨酸锌中的分凝系数,约为0.27。 测量了ZnWO4∶Tm3+和ZnWO4∶Tm3+,Yb3+的吸收光谱。由于对称性低,Tm3+离子的3H4能级分裂达26.7nm,所以ZnWO4∶Tm3+和ZnWO4∶Tm3+,Yb3+十分适合用808nm激光二极管激发。确定了Tm3+离子和Yb3+离子的能级分布,并计算了Tm3+离子的吸收截面为1.58×10-20cm2。ZnWO4∶Tm3+中,能够观测到三个上转换荧光峰,分别是对应于1D23H61G43H63F33H6跃迁的404、486和695nm发光,其发光强度与泵浦功率分别成1.2、0.8和1.2次方关系,其中以695nm的发光为最强。而在ZnWO4∶Tm3+,Yb3+中,486nm发光强度增强了两个数量级以上,成为最强的发光,造成这种现象的原因是存在Yb3+离子向Tm3+离子的共振能量传递,这种敏化机制属于间接上转换敏化。双掺晶体中695、486和404nm发光与激发功率分别成1.13、1.81和2.44次方关系。经计算Tm3+离子的发射截面为3.99×10-17cm2
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