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采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究，发现随着沟道长度的减小失真行为变坏，且RC SOI器件较FD器件具有更好的失真行为．同时，从实验数据可以看出，不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏．该结果可以为低失真混合信号集成系统的设计提高指导方向．