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采用三维封装结构取代传统的平面封装结构可获得高性能集成电力电子模块.在实验室完成由2只芯片尺寸封装MOSFET和驱动、保护等电路构成的三维封装半桥IPEM.从互连焊点形状的优化和封装工艺过程参数的控制出发,进行IPEM的可靠性控制.采用阻抗分析仪Agilent 4395A测量IPEM的寄生参数,建立了半桥IPEM的寄生参数模型;采用半桥IPEM构成12V/3A输出的同步整流Buck变换器,2只MOSFET的漏源极尖峰电压小,说明HB-IPEM的三维封装结构有效减小了寄生电感.运用Flotherm软件对半桥