【摘 要】
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采用超高真空脉冲激光沉积（PLD）方法,在单晶Si基底表面制备了单层Au、单层U薄膜和Au/U/Au复合薄膜,应用SEM、白光干涉轮廓分析和AES分析,研究了靶基距、基片温度和激光能量对薄
【机 构】
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中国工程物理研究院,表面物理与化学重点实验室
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采用超高真空脉冲激光沉积（PLD）方法,在单晶Si基底表面制备了单层Au、单层U薄膜和Au/U/Au复合薄膜,应用SEM、白光干涉轮廓分析和AES分析,研究了靶基距、基片温度和激光能量对薄膜形貌、成分的影响。目前的实验结果显示,PLD所制备的Au、U薄膜表面有μm级以下粒径的液滴产生,在液滴较少位置,薄膜表面粗糙度Ra小于1nm,在包含大液滴位置,Ra不超过15nm。在相同沉积条件下,U薄膜表面液滴数量大于Au薄膜。优化单层薄膜沉积工艺后制备的Au/U/Au复合膜厚度约为195nm,均方根粗糙度Rq在0.
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