V型槽衬底内条形大光腔可见光半导体激光器

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采用一种新的液相外延工艺,研制出了具有大光胶结构的V型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为779~784um,室温连续工作阈值电流为60mA,具有2倍阈值的基模工作时,线性输出光功率可达18mW,4mW下工作寿命已超过3000小时。 A new type of liquid phase epitaxy process has been used to fabricate a bar-type visible light emitting semiconductor laser with V-groove structure and a large light-emitting structure. Its spectral wavelength is 779-784um, the continuous threshold current is 60mA at room temperature, and the linear output optical power can reach 18mW with the base mode with 2 times the threshold. The working life has exceeded 3000 hours at 4mW.
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