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本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。
MOS结构界面性质的变频C—V研究
【摘 要】
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本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系
【出 处】
：
南京大学学报：自然科学版
【发表日期】
：
1990年2期
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